申龙求(音)教授研究团队开发面向下一代 AI 半导体的高性能有机忆阻器
  • 작성일 2026.02.11
  • 작성자 고려대학교 세종캠퍼스
  • 조회수 4

external_image


世宗校(副校 梁智云)子信息工程系申(音)团队与金玟柱(音)团队开展合作究,了基于新型材料的技,用以提升作下一代人工智能(AI)半体核心器件的阻器(Memristor)性能。团队发剂学气相沉法(iCVD),成功实现了适用于高分辨率理的有机阻器。

 AI 技的快速展,大容量理的需求持。在此背景下,传统计算机结构·依曼结构)中生的及高能耗问题被指出重要技限制。作方案,存算(In-Memory Computing)受到广泛注,但聚合物基阻器由于器件差大、精度低,实现用。

克服上述局限,团队引入了 iCVD 工。在件下合成 2-乙基丙CEA)二乙二醇二乙DEGDVE),制出厚度低于 10 米(nm)的均共聚物超薄膜。材料通过氰基(Cyano)官能团实现对导电细丝形成的精密控制,使据存特性的线性度与对著提升。

此外,团队过调电压脉冲的幅度续时间实现重(Weight)的精细调节。利用所阻器 DenseNet-121 模型行仿,在 Oxford 102 Flowers、Food-101、Stanford Cars 等高分辨率据集中,最高分准确率 88.39%。该结果超越了以往究水平,示出在实际 AI 域中的可行性。

究成果已表于际学术期刊《Advanced Science》,题为An Ultrathin, Cyano-Functionalized Copolymeric Memristor by iCVD Process for Driving Convolutional Neural Networks of High-Resolution Images》。

另一方面,申(音)授目前正在展由 IITP 主“以人本的下一代挑 AI 技术开发项”以及韩国研财团秀新进研”,聚焦于物理 AI、生成式人工智能智能代理等下一代自主智能系的核心技术研究。团队机器人操作、多模态认知、生成式 AI 融合等多前沿 AI 技术开发为韩国人工智能究生体系的展作出贡献

첨부파일이(가) 없습니다.