기기분류	기계가공/시험장비 ▷반도체장비 ▷전자빔증착기
	기기명	E-beam Evaporation System
	모델명	DaON1000E (VTS)
	제조회사	TESCAN
	구입년도	2013.02
	사용료(내부사용자)	25,000원/시간
	사용료(외부사용자)	50,000원/시간

시설 장비 설명	- 필라멘트에서 방출되는 전자로 시료를 녹여 반도체 기판위에 물질을 증착하는 장비로서 고 진공상에서 작동함. 따라서 보통 로타리 펌프와 터보펌프도 동반시켜 작동시킴. - 실리콘 등의 기판에 박막을 코팅하는 장치로 전극 증착공정에서 powder grain wire 등 여러 형태의 비금속 및 금속 sourc를 이용, 사용하여 막을 증착 가능.
구성 및 성능	1) 3개재료 개별제어 동시 sputtering 가능한 3원소-cosputtering system 2) 시스템은 6인치 실리콘웨이퍼 기판 1매가 공정가능한 process chamber와 각 웨이퍼를 자동으로 로딩 언로딩할 수 있는 transfer loadlock chamber로 구성함 3) processor chamber는 4인치 이상 크기의 타켓을 사용하여 RF 마그네트론 스퍼터링이 가능한 GUN 3 set를 장착하여야 함 4) 기판은 6인치와 4인치 실리콘웨이퍼를 기본으로 사용하며, transfer loadlock chamber를 통해 장입 후 1매씩 자동으로 로딩 언로딩 가능한 chamber를 구비해야 함 5). 기판은 증착 전 RF pre-cleanin이 가능해야 하며 스퍼터링 증착 중 히터를 통한 가열이 가능해야 함 6). Processor chambe는 최저 진공도가 2×10 Torr(2시간이내)에 도달하여야 함 7).processor chambe는 최저 진공도가 2×10 Torr(30분이내)에 도달하여야 함 *구성 1.E-Beam Evaporation System Model : DaON 1000E This system consist of following Process chamber module, Substrate module, Deposition source module, Measuring module, High vacuum pumping module, System control module 1). Source Material Al, Au, Cr, etc 2). Substrate Si or Glass wafer, etc. 4" Single wafer Substrate heating : Max. 3). Vacuum Pressure Ultimate pressure : <5 x 10⁻⁶ Torr Leak late：<1 x 10⁻⁹ standard liter/sec 4). Source E-Beam source : 4.7cc/4 pockets Power : 3.6kw 5).Full auto control processing 6). Uniformity Thickness : ≤±5% @ set point 2. Speed Chiller
사용/활용 예	- 각종 막의 증착 시 응용 가능. Gold Sio2 Si 등의 박막들을 증착 가능. 본 기기실에서는 이 장비를 이용하여 금 박막의 증착과 실리카 물질의 증착에 사용하고 있음.
비고	※ 기기 노후로 인한 사용불가